`
mondayw
  • 浏览: 144141 次
  • 性别: Icon_minigender_2
  • 来自: 广州
社区版块
存档分类
最新评论

RJC501:为周转期付出的代价有多大?

    博客分类:
  • Java
阅读更多

      通过重载Java类(Reloading Java Classes,RJC)这一文章系列,我们研究了类重载发生的方式,从对象和类加载器到应用服务器,以及降低周转期的解决方案等多方面谈及。所涉内容已经相当深入,因此我们想往回退一步,转移到较浅显的地带,研究一下为什么我们首先希望的是类重载生效?Java团队的类重载失败的真正代价是什么?

 

点击这里阅读具体的内容。

 

分享到:
评论

相关推荐

    STP60NF06-VB一种N沟道TO220封装MOS管

    * 最大junction-to-case热阻抗(RJC):0.851.1°C/W 性能参数 * 静态漏电阻抗(RDS(on)):0.011Ω * 漏电流(ID):60A * 门控阈值电压(VGS(th)):13V * 门体漏电流(IGSS):±100nA * 零门电压漏电流(DSS)...

    2N5550.pdf

    - **结-壳热阻 (RJC):** 这一参数反映了晶体管内部热量向封装外壳传递的效率,其最大值为83.3°C/W。 #### 电气特性(TA = 25°C) - **断态特性** - **集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):** 在集电极电流为1.0mA...

    NTMFS5C628NL-D.PDF

    * 结温到案体热阻(RJC):1.3°C/W * 结温到环境热阻(RJA):40°C/W(Surface-mounted on FR4 board using a 650 mm2, 2 oz. Cu pad) 应用注意 *超过最大额定值可能会损害器件,影响其可靠性 * 应该注意热阻的...

    16CN10L-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

    它主要应用于大电流、高电压的场合,如电源开关、电机驱动等。本篇文章将详细介绍该MOSFET的主要技术参数、特点以及在实际应用中的注意事项。 #### 主要技术参数 - **封装类型**:TO220。 - **配置**:单个N-...

    120N06N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

    - 最大结到壳温度(RJC):0.85-1.1°C/W #### 产品概述 - **击穿电压VDS**:60V - **导通电阻RDS(ON)**: - 在VGS=10V时为0.011Ω - 在VGS=4.5V时为0.013Ω - **连续漏极电流ID**:60A #### 规格参数 - **...

    BC547三极管参数文档

    2. **结到壳的热阻**(RJC):83.3°C/W,表示晶体管内部结温与外壳温度之间的热阻。 #### 四、电气特性 BC547的电气特性包括关断特性和导通特性。 ##### 关断特性 关断特性描述了三极管处于截止状态时的主要参数...

    079N03S-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

    其封装形式为DFN8(5x6),这是一种紧凑型表面贴装技术(SMT)封装,有助于节省PCB空间。 #### 主要特性 - **TrenchFET® Power MOSFET**: 利用先进的沟槽技术制造,显著降低导通电阻,提高效率。 - **100% Rg 和 UIS ...

    042P03L-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

    - **结到壳体** (RJC): 结点到封装壳体的热阻。 3. **产品摘要** - **导通电阻** (RDS(on)): 在不同栅极电压(VGS)下的最小值为9mΩ (@VGS=-10V) 和11mΩ (@VGS=-4.5V)。 - **漏源击穿电压** (VDS): -30V,当源极...

    NTMFS4C09N.PDF

    - **热阻(RJA和RJC)**:RJA和RJC分别表示结到空气和结到芯片的热阻,它们影响器件的散热性能。例如,在25°C下,RJA对应的连续漏电流ID最大为9.0A,对应的最大功率耗散为0.76W。 4. **应用**: - **CPU电源配送**...

    是个IC资料 PDF型的

    - 在高温环境下,IDSS(漏极至源极电流)和VDS(on)(漏源导通电压)均有规定值。 - 适用于低电压、高速开关应用场合,如电源、转换器及电机控制中的桥式电路。 - 在桥式电路中,二极管速度和换流安全工作区域至关...

    功率器件的散热计算及散热器选择.pdf

    在某些情况下,Rca(壳至空气热阻)可能会比Rcs(芯片至散热器热阻)小很多,这时可以近似认为总热阻主要由Rjc、Rcs和Rsa决定: RT ≈ Rjc + Rcs + Rsa 文档中的“散热器选择”部分指出,为了保证功率器件正常工作...

    计算机BIOS通用密码大全参照.pdf

    sp99dd、Magic-Pro :prost、Megastar:star、Micron :sldkj754 xyzall、Micronics :dn_04rjc、Nimble :xdfk9874t3、Packard Bell:bell9、QDI :QDI、Quantex: teX1 xljlbj、Research:Col2ogro2、Shuttle:...

    功率器件热设计及散热计算

    假设为了留有足够的安全裕量,结温 \(Tj\) 设定为125℃,环境温度 \(Ta\) 设定为40℃,内热阻 \(Rjc\) 取最大值2.6℃/W,器件与散热器间的热阻 \(Rcs\) 取0.2℃/W(PA02直接安装在散热器上,中间有导热油脂)。...

    118N10N-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

    - **结至壳热阻(RJC)**:0.85°C/W,表示在稳态情况下,器件结点到外壳之间的热阻。 - **结至环境热阻(RJA)**:40°C/W至50°C/W,表示在稳态情况下,器件结点到周围环境之间的热阻。 ### 测试条件与注意事项 - **...

    TC686双线圈大电流霍尔驱动芯片规格书汇编.pdf

    此外,TC686的热阻(RJC)为227°C/W,这意味着每瓦功率的增加会导致芯片结温升高227°C。请注意,超出“绝对最大额定值”列表中的应力可能会损坏芯片。 总的来说,TC686是一款适用于各种双线圈无刷风扇和电机应用...

    091N06N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

    - **结到壳的最大热阻(RJC)**:0.85~1.1°C/W。 #### 产品概述 - **漏极-源极击穿电压(VDS)**:60V。 - **导通状态漏极-源极电阻(RDS(ON))**:在VGS=10V时,RDS(ON)为5mΩ。 - **最大连续漏极电流(ID)**:120A。 -...

    功率器件的散热计算及散热器选择

    这里需要注意的是,不同型号的功率器件,其管芯本身的热阻(Rjc)也是不同的,例如MJ21195的Rjc为0.7°C/W,而MJE15034的Rjc则为2.5°C/W。 ### 五、散热器的选择与优化 散热器的选择对于功率器件来说至关重要,...

    KBPC610 整流桥

    - **典型热阻**(注4):RJC为12.5K/W。 - **工作与存储温度范围**:Tj,TSTG为-65°C至+125°C。 #### 五、尺寸与安装 - **尺寸**: - A: 14.73mm至15.75mm - B: 5.80mm至6.90mm - C: 19.00mm - D: 1.00mm...

    三极管to220和to220f的性能比较并其区别分析

    在我们电子元器件采购的很多时候,由于度 TO-220 .TO-220F 的不了解,性能无从的得知,其之间的区别也无法分清楚,很多时候就因为这样发生一些小麻烦。下面我们就来讲讲TO-220 与 TO-220F,从而让的大家了解并便于...

    093N06N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

    - **最大结到壳热阻(RJC)**:0.85°C/W。 #### 产品概览 - **击穿电压(VDS)**:60V。 - **导通电阻(RDS(on))**: - 在VGS=10V时,最小值为0.011Ω。 - 在VGS=4.5V时,最小值为0.013Ω。 - **连续漏极电流...

Global site tag (gtag.js) - Google Analytics