从0x00000000到0x1FFFFFFF的512M为片内Flash,到0x40000000的512M为片内SRAM,从0x60000000到0x9FFFFFFF的1G为片外存储器，由FCMS控制，分为4个区，第一区可接SRAM,NOR,其余3区可接NAND.
4-6中间一段定义为peripheral
不像其它的ARM 架构，它们的存储器映射由半导体厂家说了算，Cortex‐M3 预先定义好了“粗线条的”存储器映射。通过把片上外设的寄存器映射到外设区，就可以简单地以访问内存的方式来访问这些外设的寄存器，从而控制外设的工作
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