学过模拟电路,但都忘得差不多了。重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创。如有错误还请多多指点!
先上一张图
一、 一句话MOS管工作原理
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
二、
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达、继电器),这个二极管很重要,用于保护回路。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
2,MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3,MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。
5,MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
参数含义:
Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温,通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss: DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流,uA级的电流 Igss: GS驱动电流,nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容,Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容,Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容,Crss=Cgc. 总结: N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。 增强耗尽接法基本一样。 P是指P沟道,N是指N沟道。 G:gate 栅极 S:source 源极 D:drain 漏极 以RJK0822SPN的POWER MOS为例: Drain to source voltage:VDSS漏源极电压80V Gate to source voltage:VGSS ±20 门源电压这三种应用在各个领域都有详细的介绍,这里暂时不多写了。以后有时间再总结。
|
PS 百度知道的一些
P沟道
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情:当栅极(G)的电压比漏极的电压(D)小5V以上(有的管子可以更低),管子就开始导通,压差越大,G和S(源极)之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大。还有一件事情就是G和S之间的最大耐压,元器件手册上有说明。最后就是G和S之间容许通过的最大电流,这个元器件手册上写的也很清楚。说的够明白了。
N沟道
结构上,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS>0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。
- 大小: 100 KB
分享到:
相关推荐
**MOS管(金属-氧化物-...通过以上内容,读者可以对MOS管有深入的理解,包括其基本结构、工作原理、不同类型的特性,以及在实际电路设计中的应用和选择方法。掌握这些知识,对于进行电子电路设计和故障排查至关重要。
mos管如何并联使用? 并联是元件之间的一种连接方式,其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接,同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式,即并联电路。 MOS管并联方法电路...
MOS管作为开关时在电路中的连接方法关键在于确定栅极、源极、漏极三个极的连接方式。一般来说,NMOS管的漏极(D)连接输入端,源极(S)连接输出端,当控制极(G)达到导通电平时,MOS管从截止转为导通状态。而PMOS...
### MOS管使用快速入门详解 #### 一、MOS管基础知识 MOS管,全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect ...通过本文的学习,您可以更好地理解MOS管的工作原理,并能够灵活运用MOS管解决实际电路设计中的问题。
一个简单的记忆方法是,无论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是保持一致的。 #### 三、MOS管的应用场景 MOS管在电子设备中有多种用途,下面介绍两种最常见的应用场景: ##### 1. ...
此外,在MOS管原理图上可以看到漏极和源极之间存在寄生二极管,也称为体二极管。该二极管在驱动感性负载(如马达、继电器)时非常重要,因为它可以保护电路免受电压尖峰的损害。需要注意的是,体二极管仅存在于单独...
MOS管,全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是电子电路中广泛使用的半导体器件,尤其在数字电路和电源管理领域扮演着重要角色。MOS管分为N沟道和P沟道两...
在介绍MOS管防反接电路之前,我们先了解传统的防反接方法是使用二极管。但是二极管在导通时会有压降存在,特别是在电池供电的场合,这个压降可能会造成显著的能耗损失。例如,使用一个典型的二极管可能导致电池电压...
为了有效地驱动MOS管,通常会采用以下几种方法来增强驱动能力: 1. **通过三极管提高电流驱动力**:采用推挽结构的三极管可以提供更大的驱动电流,加快MOS管开关速度。 2. **PWM输出控制**:通过脉冲宽度调制(PWM)...
《AC6905C省MOS管软开关机方案详解》 ...通过深入研究AC6905C的相关资料,如“AC6905C省MOS管软开关机方案标准原理图V1.0.pdf”,可以进一步了解这款芯片的详细功能和使用技巧,为实际项目开发提供有力支持。
"MOS管和JFET管电压极性和工作原理及详解" MOS 管是现在最常用的电子元器件之一,它的工作原理和电压极性是电子工程师和电子爱好者必须掌握的知识。下面我们将详细解释 MOS 管的电压极性和工作原理。 首先,MOS ...
本文将详细讨论如何使用运算放大器(OPA)和金属氧化物半导体场效应管(MOS管)来构建电压源和电流源的线性驱动器,并通过分析仿真原理图深入理解其工作原理。 首先,我们来看运算放大器(OPA)。OPA是一种高增益、...
MOS管,全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是电子工程中广泛使用的半导体器件,尤其在电力电子和数字电路中扮演着重要角色。MOS管的工作原理基于电场...
与传统的使用二极管的方法相比,MOS管可以提供更小的压降和更佳的性能。在电池供电的电路中,二极管的正向压降可能会导致电池效率下降,而MOS管的低内阻特性可以在通过较大电流时仍保持极低的压降,从而尽可能减小...
标题中的“关于主板MOS管的测量和判断方法”指的是如何使用万用表来检测主板上的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),这是一种常见的电子元件,特别是在主板的电源管理和开关电路中广泛应用。MOSFET通常分为N沟道和...
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子电路中的器件,尤其在开关电源电路中具有核心作用。MOSFET可分为耗尽型和增强型两种,耗尽型MOSFET在未加栅极电压时即具有导电性,而增强型MOSFET在无...
解决这一问题的方法之一是在驱动电路中采用专用的低压驱动方案,比如使用特定的MOS管驱动IC或采用其他低功耗技术来确保MOS管能够在低压环境下正常工作。 综上所述,MOS管作为一种核心的电子元器件,在现代电子工程...
本文将详细介绍一种利用镜像电流源测量mos管导通阈值的方法。 #### 器件清单 为了进行本次实验,我们需要准备以下器件: - **待测mos**:ZVN3310F,这是一款常见的N沟道增强型MOSFET。 - **三极管**:MPS6565,...
MOS管,全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是电子工程中广泛使用的半导体器件,尤其在数字电路和模拟电路设计中占据着核心地位。本教程将为硬件工程师...
### MOS管的几种“击穿”详解 #### 引言 MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)作为一种基本的电子元件,在集成电路设计中扮演着极其重要的...