SDD将迎来TB时代

    即将过去的一年CPU、内存硬盘、DIY市场仍然稳坐三大件宝座，不过自然灾害带来的硬盘涨价让消费者疼痛不已，另外就是本年度的固态硬盘受得到了持续的关注，随着种类的不断丰富，以及商业应用的不断增加更多的用户认识到SSD抗震荡，无噪音和提速快等优势，2012年的存储市场更让人期待。

　　而且是Intel和美光正式发布了基于20nm工艺制造的第二代NAND闪存芯片，容量可达128Gb(16GB)。比前代64Gb的产品，新芯片不仅仅是容量扩大了一倍。下面笔者就详细的为大家介绍一下，目前主流SSD技术和20nm闪存芯片的出现，会为SSD产品带来哪些改变。

　　主流SSD常用哪些主控？

　　固态硬盘主要由主控和闪存芯片构成，主控主要充当将领职责，负责控制闪存的识别和读写，而闪存芯片就是在固态硬盘中，充当存储空间的介质。目前的大部分SSD使用的都是SandForce主控芯片，其中包括金士顿的高速产品，OCZ，威刚等，最近传出消息英特尔2012年即将发布的代号为Cherryville消费性能级SSD，也将采用SandForce SF-2281主控，持续读写速度有望突破500MB/s，而4K随机性能也将达到85000 IOPS。

 

　　英特尔即将发布的Cherryville固态硬盘

　　虽然SandForce主控是目前速度最高的主控产品，不过也有不少SSD厂商认为其标识水分大性价比不高，因此还有不少品牌的固态硬盘使用自己的主控。例如镁光固态硬盘使用的MAVEL主控目前也支持SATA3接口，是很多发烧也常用的品牌。

 

　　镁光SSD Marvell 88SS9174主控

　　另外今年三星存储也大力进军SSD市场，借自身在HAND FLASH和其它半导体芯片的综合优势，三星赢得了包括苹果、联想等大量订单。针对零售固态硬盘市场则推出三星SSD 830系列固态硬盘，在主控方面，三星SSD830采用了自家设计的新款ARM多核架构芯片PM830，这款芯片支持AES加密写入和最大到512GB的硬盘容量，支持用户使用图形界面的Magician软件对主控固件进行升级。

 

　　三星Cortex A9系列ARM主控

　　以上是目前最新的SSD产品使用的具有代表性主控，除了有使用SandForce或自家生产的产品外，这些固态硬盘都采用了目前最领先的SATA3接口，传输速度可达到6GB/S。刚才我们说过固态硬盘主要由主控和闪存组成，除了相同的接口不同的主控外，就是产品使用闪存的差别了，这也是决定未来SSD容量的关键技术。

　　128Gb 20nm NAND闪存带来什么？

　　就在昨天Intel与美光发布了128Gb 20nm NAND闪存，同样的64Gb 2bit/cell的MLC NAND闪存如果基于IMFT的25nm工艺，die size为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米。就拿我们刚才说过的英特尔2012即将发布的Cherryville消费性能级SSD举例，采用25nm MLC NAND，SSD最高容量达480GB，但是20nm闪存的出现注定这款还没上市的新品就面临更新。

 

　　34nm、25nm与20nm闪存die size比较

　　Intel在紧接着的Q3就会发布新的代号为King Crest SSD，产品进一步采用20nm MLC NAND闪存，继续保持SATA 6Gbps传输接口，随着工艺的提升，存储容量有望得到进一步的提升。另外最新的20nm 128Gb闪存将于2012年第二季度开始正式量产，有望于2013年前用在SSD上。届时SSD将真正进入TB级时代。

 

　　King Crest SSD官方数据表

　　闪存发展+固件升级 决定SSD未来普及

　　通过以上对固态硬盘主控闪存及接口的介绍相信大家对目前主流SSD技术的发展有了更深的了解，SSD与传统硬盘相比除了速度快，无噪音防震荡的优势以外最吸引用户的就是——固件升级。在一定程度上消除原版本的BUG，同时提升产品自身的性能，是一种非常快速有效而又经济实惠的方式。

　　从SandForce主控芯片不断更新带来的各品牌SSD的固件更新，到目前闪存技术不断发展带来的容量提升，从前我们考虑的固态硬盘容量小价格高问题，都在随着技术的发展逐渐解决。随着20nm新工艺闪存的逐渐普及，目前正在接近1美元/GB的SSD成本在明年将很可能跌破这一大关。

　　TB级SSD容量时代的到来并不遥远，伴随机械硬盘因环境带来的价格变动，越来越多的用户开始将SSD列入到装机产品中，虽然以现在的产品容量和价格来看说固态硬盘性价比更高还为时过早，不过随着闪存技术的提升和SSD特有的固件升级，2012年固态硬盘对HDD市场的冲击会更加猛烈。