AliKevin 写道
这节主要小结一下S4目前的优缺点,以便大家综合考虑
一、S4优点
- S4是基于事件的分布式流计算平台,能够对高频度事件作出快速反应。
- S4提供了灵活的事件路由、合并等功能,并提供了标准接口易于开发自己的应用。
- S4的架构中,client-adapter采用tpc/ip协议保证数据的可靠性。adapter-s4server采用udp协议(忧喜参半),优点是减少通讯等待,提高性能。
- S4的架构中,adapter-s4server采用udp协议(忧喜参半),优点是减少通讯等待,提高性能。
- S4内部采用linkqueue作为事件流的中专,内部异步通讯提高了处理性能。
- S4内部提供checkpoint和Recovery机制。(待深入验证其中的实现)
- S4能与zookeeper进行集成,增强集群的管理能力。
二、s4缺点
- S4文档不准确,官方提供的实例文档不准确需要修改才能完成实例的部署运行。
- s4现有的参数应用不简洁,需要在sh中设置系统变量,将来的应用中要进行优化为系统配置文件方式。
- s4现有的部署分adapte集群和s4(核心计算)集群,他们之间通讯方式为udp存在数据丢失风险。
- s4没有严格的failover机制,运行节点突然crash时,会导致当前节点中的数据丢失。后续的请求会failover到其他的节点上,但crash时的状态已经丢失
- s4目前persist 支持方式过于简单,需要考虑网络持久化,类似于nfs,分布式文件系统等,配合failover机制
分享到:
相关推荐
【IPB120N04S4-02-VB场效应管详解】 IPB120N04S4-02-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO263封装,适用于同步整流和电源供应等应用领域。这款MOSFET具有TrenchFET技术,优化了其电气特性...
低的RDS(on)意味着在高电流流过时,器件的压降较小,从而提高了效率。 Qg是栅极电荷,它代表开启或关闭MOSFET所需的能量。在这个器件中,Qg的典型值在10伏栅源电压下为120纳库仑,这直接影响到开关速度。快速的开关...
* 热阻,结-ambient:-60°C/W (最小 footprint,-100 cm²冷却面积) 电气特性 *_Static Characteristics_ + 漂移-源breakdown电压:40V (Vgs=0V, Id=1mA) + 网关threshold电压:2.0-4.0V (Vds=Vgs, Id=15µA) ...
热特性是衡量功率器件性能的重要指标,IPD75N04S4-06的热阻从结到壳(RthJC)典型值为2.6K/W,而从结到环境的热阻(RthJA)对于SMD版本,在最小散热面积下可低至40K/W。此外,该芯片的操作和存储温度范围为-55°C到+...
而结-空气热阻(R_thJA)则根据最小散热面积的不同,范围在-60到-100K/W之间,这取决于散热器的大小。这意味着在良好的散热条件下,芯片能承受较高的工作温度,最高可达175°C。 在电容特性上,输入电容(C_iss)、...
- 结-壳热阻:RthJC为0.95K/W,反映了芯片内部到外壳的热传导效率。 - 结-环境热阻:对于引脚封装,RthJA为62K/W;对于SMD版本,最小足迹冷却面积下的RthJA为62至40K/W。 5. **电气特性**: - 静态特性:漏源...
在热特性上,该器件的结-壳热阻(RthJC)小于等于0.5K/W,而结-大气热阻(RthJA)在最小散热面积下为40℃/W。这意味着在良好的散热条件下,芯片可以稳定工作在高达175°C的环境温度下,具有良好的热管理能力。 在...
热特性方面,结壳热阻(RthJC)典型值为0.95K/W,结温至环境的热阻(RthJA)在不同封装类型下有所不同,对于SMD版本,在最小PCB冷却面积下,最低值为626cm²。 在电气特性方面,漏源击穿电压(V(BR)DSS)在VGS=0V,...
【IPI120N04S4-01】是英飞凌(INFINEON)生产的一款电子元器件芯片,属于OptiMOS®-T2系列的N沟道增强模式功率晶体管。该产品设计适用于汽车电子应用,通过了AEC(汽车电子委员会)的资格认证,确保其在严苛的汽车...
在最大额定值方面,IPP80N03S4L-03在结温为25°C、栅源电压为10V时,连续漏极电流为80A;而在结温100°C、同样栅源电压下,该值保持不变。脉冲漏极电流在25°C时可达320A,单脉冲雪崩能量在80A电流下为260mJ,而单...
对于SMD版本,当器件安装在PCB上,最小结-环境热阻(R_thJA)可低至62K/W,且在特定的冷却面积下可进一步降低。 在电气特性上,IPB80N04S4L-04的漏源击穿电压(V_(BR)DSS)在V_GS=0V和I_D=1mA时为40V。栅极阈值电压...
热性能方面,结壳热阻(R_thJC)低至0.8K/W,表明它在散热方面表现出色,而结到大气的热阻(R_thJA)在最小脚印PCB上为40°C/W。 静态特性方面,漏源击穿电压(V_(BR)DSS)在V_GS=0V、I_D=1mA时为30V,而栅极阈值...
英飞凌的IPG20N04S4L-07A是一款高性能的双通道N沟道逻辑级增强模式电力晶体管,属于OptiMOS™-T2系列。这款芯片是按照AEC Q101标准进行资格认证的,意味着它符合汽车电子行业的高质量要求,具有很高的可靠性和耐久性...
首先,文件标题和描述中提到的“KSD103AW-7-F SOD-123 S4”及“KSD103AW-7-F SOD-123 S4 KUU”是电子元件的具体型号标识。在此情境下,这指的是SOD-123封装的肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),型号为KSD103...
而结-环境热阻RthJA对于SMD版本的器件,当设备安装在PCB上,最小散热面积为626cm²时,其值为62°C/W。这些数值对于器件在高温环境下的稳定工作至关重要。 静态特性包括漏源击穿电压V(BR)DSS,当VGS为0V,ID为1mA时...
SOD-323封装具有较小的物理尺寸,常用于便携式设备以及紧凑型设计中。 3. **KSD103AWS-7-F型号特性** - **高电流承受能力(High Current Capability)** - 该型号二极管能够承受较大的电流,在高电流条件下仍能...
英飞凌的IPD100N04S4L-02是一款专门设计用于汽车应用的OptiMOS®-T2功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款电子元器件是增强模式的N沟道逻辑级别MOSFET,已经通过了AEC Q101的可靠性认证,确保了在汽车...
最小足迹下,结-环境热阻R_thJA的范围在-100至-6°C/ W之间,且当冷却面积为6cm²时,该值为-60°C/W。 静态特性中,源漏击穿电压V_(BR)DSS在V_GS=0V,I_D=1mA时为100V。门阈值电压V_GS(th)在V_DS=V_GS,I_D=16μA...
- **生产订单月结流程**:生产成本中心费用入账 → KSS1(成本中心差异查看)→ KSS2(成本中心作业分割)→ KSII(作业价格计算)→ CON2(生产订单作业价值重估)→ KKAO(生产订单在产品计算)→ KKS1(生产订单...
- TJ(Junction Temperature):结温,是二极管内部PN结的温度。 - TSTG(Storage Temperature):存储温度,指的是二极管能安全存储的温度范围。 - RθJA(Thermal Resistance from Junction to Ambient):热阻,...